近年来，随着无线通信的迅猛发展，移动通讯设备的小型化、集成化、高可靠性和低成本，对微波介质材料及元器件提出了更高的要求，高介电常数(εr > 10)、高品质因数(Qf > 10000 GHz)和近零谐振频率温度系数(τf ~ 0 ppm/°C)的微波陶瓷是实现上述器件的关键材料。其中，材料介电常数和品质因数可通过体系选择实现，但近零τf值需要在现有材料基础上进行改性。

Li₂TiO₃陶瓷具备良好的微波介电性能，是制作微波器件极佳的候选材料，然而τf值较大的缺点（τf = +20 ~ +38 ppm/°C）限制了它的实际应用。通过两种相反τf值的化合物复合，是目前获得近零τf值的一种最有效的方法。最近，成都理工大学的赖元明团队通过两相复合的方法，加入τf值相反的Zn₂SiO₄调节Li₂TiO₃陶瓷的温度系数。结果表明Zn₂SiO₄的加入可以明显改善Li₂TiO₃陶瓷的温度系数，但由于Zn₂SiO₄和Li₂TiO₃复合发生了化学{attr}3182{/attr}，生成了具有较低的τf值Li₂ZnSiO₄和Zn₂Ti₃O₈新相，补偿了Li₂TiO₃较大的τf值，从而获得近零τf值的复合微波陶瓷体系。样品的微波介电性能主要受晶体相特性、相含量和致密度的影响。1150℃烧结的0.8Li₂TiO₃-0.2Zn₂SiO₄样品具备优异的微波介电性能：εr = 17.67，Qf = 19,600 GHz，τf = -2.0 ppm/℃，该微波陶瓷在无线通信领域具备潜在应用价值。

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