楼雄文Angew:表面暴露Ni单原子用于高效电催化析氧

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南洋理工大学楼雄文等人报道一种简便的化学气相沉积策略,用于合成Ni单原子装饰的空心S/N掺杂足球状碳球(NiSAs@S/NFCS)。具体来说,CdS@3-氨基苯酚/甲醛被碳化成S/N-FCS。气体迁移的Ni物种同时锚定在S/N-FCS表面,产生NiSAs@S/NFCS。所获得的催化剂在碱性析氧反应(OER)中表现出优异的性能,10mAcm-2时过电位仅为249mV,Tafel斜率为56.5mVdec-1,长达166h超长稳定性。

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DFT计算NiSAs@S/N-FCS催化剂中掺杂S原子在促进OER性能中的作用。S原子可以在石墨烯捕获的NiN4位点(表示为G-NiN4)周围的扶手椅(AC)或之字形(ZZ)位点上选择性地修饰。对于ACG-Ni6N4-SC,OOH*解离过程是速率决定步骤(RDS),需要克服2.00eV的最高反应能垒然而,对于G-NiN4、ZZG-NiN4-CS、ZZG-NiN4-SC、ACG-NiN4-CS和ACG-NiN4-SC,*O中间体的形成是RDS,需要克服2.19、1.95、1.93、1.91和1.81eV的能垒。

此外,考虑石墨烯基面上S原子功能化的G-NiN4模型。最稳定的G-NiN4-S1模型需要2.71eV的RDS能垒才能形成*OOH中间体,明显不如在边缘改性的催化剂。这些发现表明,由于RDS能垒最低,ACG-NiN4-SC有利于OER的热力学过程。

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此外,模拟的Barde电荷表明AC边缘模型(ACG-NiN4-CS和ACG-NiN4-SC)比ZZ边缘模型(ZZG-NiN4-CandZZG-NiN4-SC)和无SG-NiN4模型具有更多的正电荷ACG-NiN4-SC模型中的Ni原子具有+0.858e的正电荷,大于ACG-NiN4-CS的正电荷(+0.851e)。

这些发现表明,Ni位点的正电荷越多,可以加强中间体的吸附,从而促进OER过程进一步对ACG-NiN4-SC、ZZG-NiN4-SC和G-NiN4中单Ni位点上的*O中间体进行电荷密度差异分析。ACG-NiN4-SC模型的顶视图和侧视图显示出更大的从Ni到O原子的电荷转移(0.595e),大于ZZG-NiN4-SC(0.574e)和G-NiN4(0.569e),表明Ni和O原子之间的强电子相互作用。

YafeiZhao,XueFengLu etal. Surface-Exposed Single-Ni Atoms with Potential-Driven Dynamic Behaviors for Highly Efficient Electrocatalytic Oxygen Evolution. Angew.Chem.Int.Ed.2022, e202212542

https://doi.org/10.1002/anie.202212542



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