SiCw/SiCp通过聚碳硅烷基浆料直写成型来增强3D-SiC陶瓷:显微结构、组成与力学性能

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https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2019.02.045

关键词:直写成型、碳化硅、前驱体聚合物、聚碳硅烷、惰性填料


1 前言



SiC基陶瓷以其弹性模量高、耐腐蚀性好、硬度高、密度低、热膨胀系数小等优点,成为当前研究最多的复合材料之一,并且也成功应用到实际当中,如燃气轮机、水处理膜、聚变反应堆材料和骨组织植入物等。

3D打印技术与传统的硬质陶瓷制造技术相比,在制造高精度的复杂零件方面展现出巨大的潜力。现在已有多种三维制备方法被开发出来,如选择性激光烧结(SLS),基于粘合剂的三维打印(3DP),立体光刻技术(SL)和直写成型技术DIW)。其中的DIW,是由计算机程序设计构建出三维模型,之后将具有定制粘度的陶瓷浆料通过沉积喷嘴进行涂覆。与其他3D打印方法相比,DIW具有高灵活性、低成本、大规模生产以及跨多学科边界构建复杂结构的能力。


2 研究思路



在陶瓷前驱体中加入SiCw(碳化硅晶须)和SiCp(碳化硅颗粒)填料可以保持聚合物衍生陶瓷的形状和减少缺陷形成。将SiCw/SiCp填料以一定比例加入以聚碳硅烷为前驱体的陶瓷浆料中,利用直写成型技术制备出的3D-SiC具有优良的固化性能。本文研究了SiCp含量和烧结温度对其显微组织、热解过程、成分和力学性能的影响,利用PCS(聚碳硅烷)/正己烷/SiCw-SiCp溶液制备获得具有复合结构的SiC陶瓷。其中由于沿喷嘴径向剪切应力减小,打印出的线条显示出核壳结构的特点;提高SiCp/PCS的比值,使得其线性收缩率从18.2%降至8.3%、重量损失率从17.5%降至10.6%;此外,SiCp/PCS比为0.7的3D-SiC晶格,由于较低的孔隙率和细晶强化,抗拉强度达到21.3MPa。


3 图文导读


图一:利用PSC基凝胶制备3D-SiC的工艺示意图


图二:尺寸为30.5×7.0×1.5mm的印刷PCS基组件的照片(a)垂直视图,(b)横截面,(c)灯光下的垂直视图

由图可以看出打印样品3D-PCS的晶格,其颜色为深黄色。打印后保持了规则的结构,表明胶体溶液在挤出过程中具有合适的流变性能。因为PCS-SiCw/SiCp的浆料可以在气体压力下流过喷嘴,并且由于粘度突然增加而没有剪切应力,因此形状得以保持。


图三: A组样品在氩气中烧制至1400℃的热分析图

在图3中可以看出,100℃以下第一次失重4.86%为水分吸收。从200℃到600℃,重量下降缓慢,是因为一些小分子在PCS的热自交联过程中逸出。当温度从600℃升高到800℃时突然减重8.63%,这是是由于PCS转化为SiCxOy玻璃所致。在800~1200范围内观察到一个相当平缓的周期,表明非晶态SiCxOy是一个稳定的状态。1200以上的高温促进了SiCxOy向SiC的转变,并使其失重。根据DTG曲线,在702.9℃和1350.6℃左右分别发生两次快速失重,分别是PCS的陶瓷转化和SiCxOy的碳化。




图四:(a不同SiCp含量的样品热解前后的失重和线性收缩图; (b) 不同烧结温度下E组样品的失重和线性收缩图

烧结过程中的失重和线收缩如图4所示。随着SiCp/PCS质量比从0:1增加到1:1,晶格的失重率和收缩率分别从18.2%下降到8.3%和17.5%下降到10.6%。因此,通过SiCw/SiCp的惰性填料可以在陶瓷转化过程中,减少了PCS的失重,避免了PCS大范围收缩。另外热处理对三维SiC陶瓷的最终形貌和成分也起着至关重要的作用。其中陶瓷转换在800℃完成;当温度从800升至1400℃时,体系失重和收缩缓慢增加。随着温度提高到1500℃或更高时,非晶态SiCxOy的碳化使失重急剧增加。高温会加速Eq的反应,使碳化硅的含氧量降低,晶粒尺寸增大。



图五: (a) 不同SiCp含量的试样经1200℃烧结后的XRD图谱; (b) 不同烧结温度下E样品的XRD图谱

由(a)图可以看出样品的峰值强度是由惰性填料决定的。在不添加SiCp的情况下,样品呈现出衍射峰变宽的非晶相特征。当SiCp/PCS比值大于0.5时,试样主要由α-SiC(PDF卡:29~1131)组成。由图(b)看出,6H-SiC(SiCp)的衍射峰强度很高,所有模式的差别都很小。再将6H-SiC(102)衍射峰放大来看,较高的烧结温度将峰移到较高的角度,表明6H-SiC的晶格参数降低,较高的反应温度将加速SiCxOy与SiCp相之间的原子扩散。因此,一定的氧可以取代6H-SiC中的碳,从而形成较小的6H-SiC晶格。



图六: E组样品在氩气中热处理2h的SEM图像; (a) 800℃; (b) 1000℃; (c)1500℃和(d)1700; (e)多孔3D-SiC图像

由图看出,当温度低于1200时,样品均呈致密体;进一步提高反应温度,晶粒开始长大,非晶态SiCxOy晶化逐渐形成微米孔。SiO和CO等气体将通过SiCxOy(Eq)的进一步碳化而释放。在1700℃形成微米级的六角SiC颗粒。这些粗大的晶粒应该来源于6H-SiCp,它可以通过与接近SiCxOy晶粒的结合生长。

4 总结



将SiCw/SiCp填料加入以聚碳硅烷为前驱体的陶瓷浆料中,经直写成型、烧结最终制备出了三维SiCxOy基陶瓷。通过研究SiC颗粒、烧结温度对SiCxOy基陶瓷显微结构、成分及相关性能的影响。结论如下:

1. 在PCS基浆料中加入不同含量的SiCp,通过直写成型,获得了具有良好性能的三维复合结构。此外,打印出来的陶瓷棒具有核壳结构的特点,这是由喷嘴径向剪应力降低造成的。在烧结过程中,PCS在702.9℃左右发生热解转化,生成非晶态SiCxOy;当升温至1350.6℃以上时,SiCxOy的碳化使其失重加快,最终被还原成SiC。

2. 当烧结温度为1200℃时,SiCp/PCS比值由0提高到1,会使PCS基晶格的失重率从18.2%降至8.3%,线收缩率从17.5%降至10.6%;当热解温度从1200℃提高到1400℃时,当热解温度从1200℃升高到1400℃时,失重率和收缩率相差不大,随着温度的升高,由于纳米SiC的结晶,失重率急剧增加。


本文由高温合金精密成型研究中心2019级硕士-王特特编辑整理



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